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快速退火工藝（一）
點擊量：2234 日期：2023-11-17 編輯：硅時代
快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時間內完成退火。它與常規(guī)熱退火相比，有下列優(yōu)點：樣品在相同的保護條件下，可以使用較高的退火溫度，這有利于提高注入雜質的激活率與遷移率，尤其適合大劑量注入的樣品，因為大劑量注入造成的損傷嚴重，需要在較高溫度下退火，瞬態(tài)退火可以減少注入雜質的再分布，形成陡峭的雜質分布或突變結，另外當退火溫度要求不十分高時，樣品表面無須用介質膜保護，簡化了工藝。
快速退火是集成電路制造中常用的一種快速熱處理技術，用于消除晶圓上的應力和損傷，并提高晶圓的品質和可靠性。下面是幾種常見的快速退火方式和它們的特點：
1.閃光燈退火（Flash Annealing）：閃光燈退火是利用高功率閃光燈進行的退火工藝，其特點如下：
高能量密度：閃光燈通過釋放高能量脈沖光，快速加熱晶圓。
非接觸性：閃光燈退火可以在不接觸晶圓的情況下進行，減少了對晶圓的污染風險。
快速加熱速率：閃光燈退火可以在極短的時間內將晶圓加熱到目標溫度，通常只需幾毫秒。
適用廣泛：閃光燈退火適用于多種材料和結構的退火處理。
2.激光退火（Laser Annealing）：激光退火是使用激光進行的退火工藝，其特點如下：
高功率密度：激光通過將高能量集中在一個小區(qū)域，快速加熱晶圓。
非接觸性：激光退火可以在不接觸晶圓的情況下進行，減少了對晶圓的污染風險。
高溫精確控制：激光可以精確調節(jié)加熱區(qū)域和加熱強度，實現高溫退火和局部加熱。
快速加熱速率：激光退火可以在幾毫秒內將晶圓加熱到所需溫度。
