MEMS加工工藝目前主要有體硅微機(jī)械加工工藝、表面微機(jī)械加工工藝和非硅工藝3種。

        體硅微機(jī)械加工工藝通過雙面光刻、腐蝕及鍵合的方法對(duì)硅襯底進(jìn)行加工，形成三維立體微結(jié)構(gòu)。在體硅微機(jī)械加工工藝中，由于需要雙面光刻機(jī)，因此需要在硅片正反面制作有精確位置要求的圖形。常用于針對(duì)幾十或幾百微米的硅片，制作大的深寬比。深硅刻蝕是體硅微機(jī)械加工技術(shù)的核心，利用刻蝕劑對(duì)硅的晶向依賴性，即其在不同晶面具有不同的腐蝕速率，從而刻蝕出具有高深寬比的凹槽。

        表面微機(jī)械加工工藝，通過在硅片表面形成犧牲層并對(duì)其進(jìn)行腐蝕，形成各種表面微結(jié)構(gòu)。由于其微加工過程都是針對(duì)腐蝕硅片表面的薄膜上的犧牲層進(jìn)行的，因而又稱為犧牲層腐蝕技術(shù)。表面犧牲層技術(shù)是表面微機(jī)械技術(shù)的核心工藝，其關(guān)鍵在于犧牲層和腐蝕液材料的選擇，需要腐蝕液在腐蝕犧牲層的同時(shí)幾乎不腐蝕上面結(jié)構(gòu)層和下面襯底。由于精度控制要求較高，因而通過精確控制膜厚，可以形成幾微米的結(jié)構(gòu)圖形。

        非硅工藝則是通過光刻、電鑄和注塑工藝，形成較大深寬比（可達(dá)200）的微結(jié)構(gòu)，又稱為LIGA（即德文Lithographie（光刻）、Galanoformung（電鑄）與Abformung（注塑））。由于要制作深度較大的微型器件，需要穿透力較強(qiáng)的X-Ray進(jìn)行照射。而由于X-Ray深度光刻成本較高，無法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因此目前LIGA技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化需要通過電鑄制模來實(shí)現(xiàn)。

       TFT-LCD是將微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù)。將在硅基上進(jìn)行的微電子精細(xì)加工的技術(shù)移植到大面積玻璃上，并將該陣列基板與帶有彩色濾色膜的基板對(duì)盒，最后經(jīng)偏光片貼覆等過程，形成顯示器件。TFT-LCD的制造工藝包括以下4部分：（1）在玻璃基板上形成TFT陣列；（2）在彩色濾光片基板上形成彩色濾光圖案；（3）基板對(duì)盒；（4）安裝外圍電路、組裝背光源。其中TFT陣列基板最為常用的為非晶硅TFT，其主要利用的是金屬和非金屬薄膜工藝，經(jīng)掩膜版曝光、顯影、干法刻蝕及剝離步驟后形成所需布線圖案。

       在3種MEMS加工工藝中，由于體硅微機(jī)械加工工藝需要雙面光刻機(jī)及鍵合技術(shù)等，LIGA工藝需要X-Ray曝光機(jī)，因而不能與TFT-LCD工藝兼容。而表面微機(jī)械加工工藝簡單，易于與TFT-LCD工藝兼容，因而得到廣泛應(yīng)用。本文所介紹的基于MEMS輔助的顯示工藝，皆以表面微機(jī)械加工工藝為基礎(chǔ)。