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ICP刻蝕的基本要求
點(diǎn)擊量：968 日期：2023-07-24 編輯：硅時(shí)代
刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng)，即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)?？涛g面積很大時(shí)，因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會(huì)較慢，這稱為宏觀負(fù)載效應(yīng)。在微細(xì)圖形的局部區(qū)域內(nèi)， 被刻蝕材料的密度過(guò)高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負(fù)載效應(yīng)。
（2）圖形保真度
設(shè)橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：
A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移中沒(méi)有失真， 刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴(yán)重，刻蝕為各向同性。
（3）均勻性
在材料制備時(shí)， 薄膜厚度一般有一定的不均勻性， 而刻蝕時(shí)同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會(huì)造成圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。
刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設(shè)備的硬件參數(shù)， 如反應(yīng)室的設(shè)置， 氣流， 離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數(shù)的影響。
對(duì)于大襯底的刻蝕， 如果刻蝕時(shí)間不夠， 膜厚處沒(méi)有刻蝕完全；但是刻蝕時(shí)間太長(zhǎng)，膜薄處會(huì)造成過(guò)刻蝕，實(shí)際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料， 這樣可以加長(zhǎng)刻蝕時(shí)間， 保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會(huì)造成明顯的過(guò)刻蝕。
除了同一樣片不同位置的均勻性問(wèn)題， 同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱重復(fù)性）也很重要。重復(fù)性與反應(yīng)室的狀況有很大的關(guān)聯(lián)性。
（4）表面形貌
一般情況下， 刻蝕后的表面形貌都希望側(cè)壁陡直光滑， 刻蝕地面平滑。但對(duì)于不同的器件有時(shí)也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結(jié)構(gòu)等。
（5）刻蝕的清潔
刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現(xiàn)重金屬沾污也會(huì)造成漏電。對(duì)于干法刻蝕，刻蝕表面還會(huì)出現(xiàn)聚合物的再淀積。
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